FMD FT60E123−ab 代理

FT60E123−ab

8−bit CPU (EEPROM)  37 条 RISC 指令: 2T or 4T  16 MHz / 2T (VDD ≥ 2.7)  多达 16 个引脚 Memory  PROGRAM: 2k x 14 bit (读/写保护)  DATA: 256 x 8 bit  RAM: 128 x 8 bit  8 层硬件堆栈 工作条件 (5V, 25°C)  VDD (VPOR ≤ 2.0V) VPOR − 5.5 V (通过 POR 自动调整，0°C 以上 ≤1.7V)  工作温度等级 − 40 − + 85 °C  低 Standby 0.8 μA  WDT 3.2 μA  正常模式 (16 MHz) 207 μA/mips 高可靠性  10 万次擦写次数 (typical)  > 20 年 / 85°C 存储 (typical)  ESD > 4 kV, > 5.5 kV ADC (10−bit)  真正 10−bit 精度 (≤ 1 MHz ADC 时钟)  7 + 1 通道  VADC−REF  内部: 2.0, 3.0, VDD  外部: VREF 引脚  特殊事件触发和中断 比较器 (2 路)  16 级可编程参考电压 稳压器输出 (2 路)  可输出 32 档电压 PWM (Total 5)  增强型捕捉/比较/PWM  PWM 模式: 单 PWM，半桥，全桥  3 对 PWM (6 个 I/O): 互补输出+死区  单脉冲模式  相同周期，占空比  极性可选  PWM (3 路)  支持 SLEEP 下运行  独立：周期，占空比，极性  蜂鸣器模式 Timers  WDT (16−bit): 7−bit 后分频  Timer0 (8−bit): 8−bit 预分频  Timer1 (16−bit): 3-bit 预分频，带门控  Timer2 (8−bit): 4−bit 预分频和后分频  Timer3/4/5(12-bit): 7-bit 预分频和 8-bit 后 分频  支持在 SLEEP 下运行  1 or 2x {指令时钟, HIRC}, LP, T0CK,T1CK I/O PORTS (多达 14 个 I/O)  上拉/下拉电阻  All I/O 源电流: 22mA (5V, 25°C)  All I/O 漏电流: 19mA (5V, 25°C)  8 个 I/O: 中断/唤醒 电源管理  SLEEP  LVR: 2.0, 2.2, 2.5, 2.8, 3.1, 3.6, 4.1 (V)  LVD: 2.0, 2.4, 2.8, 3.0, 3.6, 4.0 (V) 系统时钟 (SysClk)  HIRC 高速内部振荡器  16MHz < ±2% typical (2.5−5.5V, 25°C)  1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 分频  LIRC 低功耗低速内部振荡器  32 kHz 或 256 kHz  EC 外部时钟 (I/O 输入)  LP / XT 晶振输入  双速时钟启动 (HIRC 或 LIRC)  故障保护时钟监控 集成开发环境 (IDE)  片上调试 (OCD)，ISP  3 个硬件断点  软复位，暂停，单步，运行等 封装  SOT23-6 SOP8 DIP8 MSOP10 SOP14 DIP14 SOP16 DIP16 Fremont Micro Devices FT61EC2x Rev1.01 - 2 - 2022-09-21 产品信息和选型表 型号 I/O 数 封装 FT61EC20−Uab 4 SOT23-6 FT61EC21A−ab 6 SOP8 FT61EC21A−Dab DIP8 FT61EC21B−ab SOP8 FT61EC21B−Dab DIP8 FT61EC2F−Mab 8 MSOP-10 FT61EC22A−ab 12 SOP14 FT61EC22A−Dab DIP14 FT61EC23−ab 14 SOP16 FT61EC23−Dab DIP1