产品描述
1N120-E2
1.0A, 1200V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N120-E2 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES0 * RDS(ON) ≤ 12 Ω @ VGS=10V, ID=0.5A * Low Reverse Transfer Capacitance * Fast Switching Capability * Avalanche Energy Specified * Improved dv/dt Capability, High Ruggedness SYMBOL TO-220 1 1 TO - 252 ORDERING INFORMATION Ordering Number Package Pin Assignment Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 1N120L-TA3-T 1N120G-TA3-T TO-220 G D S Tube 1N120L-TN3-R 1N120G-TN3-R TO-252 G D S Tape Ree
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