NY8TM52 德宏NY8TM52D厂家

NY8TM52
C：进位/借位标志位。
C=1时，加法运算有进位或减法运算无借位。
C=0时，加法运算无进位或减法运算有借位。
DC：半进位/半借位标志位。
DC=1时，加法运算低四位有进位或减法运算时没有向高四位借位。
DC=0时，加法运算低四位无进位或减法运算时有向高四位借位。
Z：零位。
Z=1时，算术或逻辑运算的结果是零。
Z=0时，算术或逻辑运算的结果不为零。
/PD：睡眠模式标志位。
/PD=1时，上电或执行CLRWDT指令后。
/PD=0时，执行SLEEP指令后。
/TO：**时标志位。
/TO=1时，上电或执行CLRWDT或SLEEP指令后。
/TO=0时，发生WDT上溢。
BK[1:0]：Bank选择位，BK[1:0]=00b 选择Bank0，BK[1:0]=01b 选择Bank1，BK[1:0]=10b选择Bank2。BK[1:0]=11b，选择Bank3。
GP5：通用寄存器数据位。
(*1) 可以被SLEEP指令。
(*2) 可以由CLRWDT指令设定。



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