太原九齐NY8A051F

1.1 NY8A051F功能
 宽广的工作电压：
 2.0V ~ 5.5V @系统频率≦8MHz。
 2.2V ~ 5.5V @系统频率＞8MHz。
 宽广的工作温度：-40°C ~ 85°C。
 高达 ±5KV 的ESD。
 内建11阶准确的低电压侦测电路(LVD) 。
 1Kx14 bits EPROM。
 48 bytes SRAM。
 6根可分别单独控制输入输出方向的I/O脚(GPIO)、PB[5:0]。
 PB[3:0]可选择输入时使用内建上拉及下拉电阻。
 输入有三种组态可选(TTL/CMOS/Without Schmitt) 。
 PB[3]内建上拉电阻80K。
 PB[5:0]可选择上拉电阻或开漏较输出(Open-Drain)。
 所有I/O脚输出可选择小灌电流(Small Sink Current)或一般灌电流(Normal Sink Current)。
 所有I/O脚输出可选择小推电流(Small Drive Current)或一般推电流(Normal Drive Current)，除PB3外。