产品描述
2N120-E2
2.0A, 1200V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N120-E2 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES0 * RDS(ON) ≤ 8.0 Ω @ VGS=10V, ID=1.0A * Low Reverse Transfer Capacitance * Fast Switching Capability * Avalanche Energy Specified * Improved dv/dt Capability, High Ruggedness SYMBOL ORDERING INFORMATION Ordering Number Package Pin Assignment Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2N120L-TA3-T 2N120G-TA3-T TO-220 G D S Tube 2N120L-TF1-T 2N120G-TF1-T TO-220F1 G D S Tube 2N120L-TF2-T 2N120G-TF2-T TO-220F2 G D S Tube
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